Ученые придумали, как сделать фазовую память на порядок быстрее

Ученые выдумали, как сделать фазовую память на порядок быстрее

Память, в которой для представления информации употребляется изменение фазового состояния вещества, поточнее разговаривая, переход между аморфной и кристаллической структурами, характеризующимися различным сопротивлением, является одним из кандидатов на подмену флэш-памяти. В то же время, в самом принципе работы данной памяти кроется противоречие: легкий переход между состояниями позволяет повысить скорость записи, но отрицательно сказывается на надежности хранения.

Исследователями из Кембриджского института удалось повысить скорость записи, не жертвуя надежностью. Мысль заключается в том, чтоб «подготовить» вещество к кристаллизации, в результате чего она происходит быстрее. Подготовка содержится в создании слабого электрического поля. Ученые использовали компаунд из германия, сурьмы и теллура. Им удалось получить время кристаллизации 500 пикосекунд, что в десять разов превосходит бывший результат.

Источник: Science

Наши рекомендации:

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Пост был прочитан 6 раз